Die Batch-Anlage V10-G wurde zur Entfernung von Fotolacken konzipiert und ist darüber hinaus sehr gut für die Waferreinigung geeignet.
Niederdruck-Plasmaanlage V10-G
Anwendungen
- Hervorragend geeignet zur Entfernung von Fotolackschichten (auch SU-8) nach Trockenprozessen wie RIE oder Elektronenstrahlätzen sowie nach High-Dose-Implantation
- Zur Verbesserung der Benetzbarkeit vor Nassprozessen können Siliziumwafer oder andere Substrate behandelt werden
- Einsetzbar für Prozesse in der MEMS- und Nanotechnologie
- Entfernen von Polymerresten nach dem Bosch-Prozess
- Entfernen von organischen Opferschichten
- Konditionierung von bioaktiven Schichtaufbauten
Datenblatt
| Anlagentyp | Tischgerät |
| Kammerabmessungen (Ø x T) | 215 x 260 mm |
| Mikrowellenleistung | 50-600 W |
| Gaseinlässe mit Mass-Flow-Control | 1 Kanal |
| Elektrischer Anschluss | 230 V, 50/60 Hz |
| Anschlussleistung (ohne Pumpe) | 1,5 kVA |
| Druckmessung | Pirani |
| Anlagenabmessungen (B x T x H) | 720 x 820 x 820 mm |
Optionen
| Vakuumpumpe | |
| Ozonfalle | |
| Löttemperaturen bis 500 °C | bis zu 2 |
| Softstart / Softbelüftung | |
| Faraday-Käfig | |
| Prozessdruck-Regelventil |
Systemeigenschaften
- Prozesskammer: Quarzglas
- Türauszug
- Anlagensteuerung: SPS (S7-300)
- Resistiver Touch-Panel mit Windows-Betriebssystem (auch mit Handschuhen bedienbar)
- Fernwartung (VPN)
- Ethernet-Schnittstelle
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