V10-Gバッチシステムはフォトレジスト除去用に設計されており、ウェハークリーニングにも非常に適しています。
低圧プラズマ装置 V10-G
アプリケーション
- RIEや電子ビームエッチングなどのドライプロセス後や高ドーズ注入後のフォトレジスト層（SU-8を含む）の除去に最適です。
- シリコンウェーハやその他の基板は、ウェットプロセスの前にウェット性を向上させるために処理することができる。
- MEMSやナノテクノロジーのプロセスに使用可能
- ボッシュ処理後のポリマー残渣の除去
- 有機犠牲層の除去
- 生体活性層構造の調整
データシート
| システムタイプ | デスクトップ |
| チャンバー寸法（Ø x D） | 215 x 260 mm |
| マイクロ波出力 | 50-600 W |
| マスフローコントロール付きガスインレット | 1チャンネル |
| 電気接続 | 230 V、50/60 Hz |
| 接続負荷（ポンプなし） | 1.5 kVA |
| 圧力測定 | ピラニ |
| システム寸法（幅×奥行×高さ） | 720 x 820 x 820 mm |
オプション
| 真空ポンプ | |
| オゾントラップ | |
| 500 °Cまでのはんだ付け温度 | 最大2 |
| ソフトスタート／ソフトベンチレーション | |
| ファラデーケージ | |
| プロセス圧力制御バルブ |
システム特性
- プロセスチャンバー：石英ガラス
- ドア引き出し
- システム制御: PLC (S7-300)
- Windowsオペレーティングシステム搭載の抵抗膜式タッチパネル（手袋をしたままでも操作可能）
- リモートメンテナンス（VPN）
- イーサネット・インターフェイス
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