表面の高精度エッチング

低圧プラズマエッチング

<h43フレキシブルで実践的なプロセス

プラズマエッチングにてすべての有機素材を処理することが可能です。エッチングにおいても洗浄と同様、化学反応を原理として利用しています。時間、出力等、様々なパラメータを必要条件に合わせて調整していきます。

酸素に加え、エッチングの効果を補助するガスを追加することも可能です。多くの場合、CF₄ 等のフッ素系ガスが使用されます。これにより発生するフッ素化ラジカルは、酸素プラズマよりも強く反応します。しかしながら、反応が強いため反応をフィルターで抑制する必要があります。

プラズマエッチングのメリット

高い浸透力（そのためマイクロホールに最適）
事実上、すべての絶縁体のエッチング可能
有毒な化学薬品不要
すべてのビアを同時に処理
低い作業コスト

環境保護および経済面でのメリット

従来の湿式プロセスに比べ、プラズマプロセスはごくわずかな化学薬品しか使用しません。さらに、使用するプロセスガスのほとんどは危険性が無く（例：酸素、窒素、CF₄）簡単に使用することができる上、コストがあまりかかりません。

つまり、安全性の確保や廃棄処理のための投資、コストを削減することが可能です。電力消費は比較的低く、乾式化学プロセスを採用しているため、部品を乾燥する必要がありません。

デスミアリング／バックエッチング

さらなるプラズマ技術として挙げられるのは、機械的ドリルされた回路基板のデスミアリング、もしくはバックエッチングです。このプロセスは、回路基板の両面の処理、つまりすべてのホールの処理を同時に行うことができます。プラズマプロセスの高い浸透力により、テフロンのような素材においてさえも0.3 mm 以下の穴をバックエッチングすることが可能です。